Биполярный транзистор MMBT5551-7-F Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0,2 ВРабочая температура -55...150 °CМаксимальная рабочая частота 300 МГцМаксимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1 ВМаксимальное напряжение коллектор-база 180 ВМаксимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер): 160 ВМаксимальное напряжение эмиттер-база 6 ВМинимальный коэффициент усиления по постоянному току 30Максимальное рассеяние мощности: 300 мВтТип монтажа: поверхностныйМаксимальный пост. ток коллектора: 600 мАТип транзистора NPNКоличество элементов на ИС 1Тип корпуса SOT-23Число контактов 3Размеры 3 x 1.4 x 1.1мм